[发明专利]半导体存储装置和刷新控制方法无效
申请号: | 200510127093.5 | 申请日: | 2005-11-30 |
公开(公告)号: | CN1805048A | 公开(公告)日: | 2006-07-19 |
发明(设计)人: | 高桥弘行 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/401 | 分类号: | G11C11/401;G11C11/406 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;樊卫民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体存储装置,具有进行切换控制,使得在待机状态时,接受从半导体存储装置外部供给的刷新控制信号而进行刷新动作,在激活状态时,不是根据来自半导体存储装置外部的控制,而是根据内置的计时器的控制来进行刷新动作的选择器。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 刷新 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于具有:包含在数据保持中需要刷新的多个存储器单元的存储器阵列;以及进行切换控制,使得在待机状态时,响应从半导体存储装置外部供给的刷新控制信号而进行刷新,在激活状态时,根据在半导体存储装置内部的控制来进行刷新的电路。
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