[发明专利]多层构成半导体微型组件无效
申请号: | 200510127180.0 | 申请日: | 2005-11-30 |
公开(公告)号: | CN1790706A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 佐藤元昭;川端毅;福田敏行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/498 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的,粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件,形成的多层构成半导体微型组件。树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。还有,形成在第1树脂衬底(3)中的第1埋入导体(7),在为组装半导体芯片(2)的区域周围,分别排列了由内向外的复数列,第1埋入导体(7)的排列间隔越向外侧越大。形成在薄膜部件(5)中的第2埋入导体(9),在开口部(10)的周围,分别排列为由内向外的复数列,第2埋入导体(9)的排列间隔越向外侧越大。 | ||
搜索关键词: | 多层 构成 半导体 微型 组件 | ||
【主权项】:
1.一种多层构成半导体微型组件,其特征为:由具有复数个第1埋入导体及上表面上组装了半导体芯片的树脂衬底,和具有形成了为收纳上述半导体芯片的开口部及与上述复数个第1埋入导体电连接的复数个第2埋入导体的薄膜部件交替叠层而形成,上述复数个第1埋入导体,在围绕为组装上述半导体芯片的组装区域的区域上,分别排列在由内向外的复数个列上,由上述复数个第1埋入导体构成的复数个列当中构成外侧的列的第1埋入导体的排列间隔,比构成内侧的列的第1埋入导体的排列间隔大。
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