[发明专利]一种晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510127197.6 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1797725A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 季明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;史霞 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用热膨胀系数不向于基底的插塞构成的双轴应变的晶体管和单轴应变的晶体管及其制造方法，若插塞的热膨胀系数比基底大，则于主动区可形成双轴拉伸应变通道的晶体管；若插塞的热膨胀系数比基底小，则于主动区可形成双轴压缩应变通道的晶体管；若于主动区的一相对边形成热膨胀系数较大的绝缘插塞，另一相对边形成势膨胀系数较小的绝缘插塞，则于主动区可形成单轴应变的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用热膨胀系数不同于基底的插塞构成具有双轴应变的晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底；在该基底中形成一沟槽借以定义出一主动区；在该沟槽中形成一热膨胀系数不同于该基底的插塞；以及在该主动区形成一晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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