[发明专利]高纯的三邻位金属化的有机铱化合物的制备方法无效

专利信息
申请号: 200510127217.X 申请日: 2002-01-30
公开(公告)号: CN1781926A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 非利浦·施拖塞尔;休伯特·施普赖特尔;海因里希·贝克尔 申请(专利权)人: 科文有机半导体有限公司
主分类号: C07F15/00 分类号: C07F15/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 樊卫民;杨青
地址: 德国法*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种高纯三邻位金属化的有机铱化合物的制备方法和这种纯有机金属化合物,特别是d8金属化合物,它们在不远的将来将可以作为染料组分、活性组分(=功能材料)用于一系列不同类型的应用场合,这种应用在最宽的意义上可以分类到电子工业中。
搜索关键词: 高纯 三邻位 金属化 有机 化合物 制备 方法
【主权项】:
1.一种制备式(II)化合物的方法:其中:X为-CH=CH-,-CR=CH-,-CR=CR-,N-H,N-R1,O,S或Se;R’在各种情况下相同或不同,为F,含1-20个碳原子的直链或支链或环状烷基,其中一个或多个氢原子可以被F代替,或含6-14个碳原子的可以被一个或多个非芳基团R’取代的芳基;以及在同一个环上或在两个不同环上的一些取代基R’,它们可以一起形成另外的单环或多环体系;R1在各种情况下相同或不同,并为含1-20个碳原子的脂肪或芳烃基;a是0,1,2,3或4;b是0,1或2,它通过由式(IIb)的化合物其中基团X,R’,a和b均如上所定义,与有机金属锂化合物反应得到式(IIc)的化合物,随后使式(IIc)的化合物与Ir(III)化合物在低温下反应得到式(II)的目标化合物来进行。
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