[发明专利]发光元件、发光器件以及电子器件有效
| 申请号： | 200510127268.2 | 申请日： | 2005-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1816229A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 池田寿雄;坂田淳一郎;岩城裕司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/00 | 分类号： | H05B33/00;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种几乎没有因晶化导致的工作不良的发光元件。本发明的一种发光元件包括含有金属氧化物和对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物的层。该层中设有第一区域和第二区域。包含在所述第一区域中的金属氧化物浓度高于所述第二区域中所包含的金属氧化物浓度。而且，所述第一区域和第二区域被交替地提供。所述第一区域和第二区域分别沿所述混合层的厚度方向具有0.1nm至10nm，优选的是1nm至5nm的距离。在此，在上述层中优选包含所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物和所述金属氧化物，并所述对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物与所述金属氧化物的摩尔比(金属氧化物/第一化合物)在0.1至10的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 器件 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：形成在一对电极之间的混合层，其中，所述混合层含有金属氧化物和对于所述金属氧化物具有电子给予性的化合物，并且，所述混合层包括第一区域和第二区域，并且，所述第一区域和第二区域沿所述混合层的厚度方向被交替地提供，并且，包含在所述第一区域中的金属氧化物浓度高于所述第二区域中所包含的金属氧化物浓度，而且，所述第一区域和第二区域分别沿所述混合层的厚度方向以0.1nm至10nm的距离彼此分开。
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