[发明专利]采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法

摘要

本发明涉及微电子技术领域，特别是一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法。其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上淀积SiN_x薄膜；2.光刻，刻蚀SiN_x薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；3.腐蚀硅衬底，形成硅突点；4.表面淀积SiO₂薄膜牺牲层；5.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀SiO₂薄膜孔，去铬，清洗处理表面；6.表面淀积SiN_x薄膜；7.积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀SiN_x薄膜和SiO₂薄膜腐蚀槽；8.腐蚀释放SiO₂薄膜牺牲层；9.表面淀积SiN_x薄膜，密封腐蚀槽。

主权项

1、一种基于采用硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法，其牺牲层的形成及释放是由硅衬底在SiNX薄膜掩蔽下被湿法各向异性腐蚀出倒梯形坑及突点，然后在其表面LPCVDSiO2薄膜牺牲层，刻蚀出SiO2薄膜孔，再表面LPCVDSiNX薄膜，刻蚀出SiNX薄膜和SiO2薄膜腐蚀槽，最后湿法腐蚀释放SiO2薄膜牺牲层，表面LPCVDSiNX薄膜，密封腐蚀孔，从而形成牺牲层的制作及释放；其特征在于，其步骤如下：步骤1、在<100>硅基片上淀积SiNX薄膜；步骤2、光刻，刻蚀SiNX薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；步骤3、腐蚀硅衬底，形成硅突点；步骤4、表面淀积SiO2薄膜牺牲层；步骤5、光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀SiO2薄膜孔，去铬，清洗处理表面；步骤6、表面淀积SiNX薄膜；步骤7、表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀SiNX薄膜和SiO2薄膜腐蚀槽；步骤8、腐蚀释放SiO2薄膜牺牲层；步骤9、表面淀积SiNX薄膜，密封腐蚀槽。