[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法有效
申请号: | 200510127715.4 | 申请日: | 2005-12-02 |
公开(公告)号: | CN1979911A | 公开(公告)日: | 2007-06-13 |
发明(设计)人: | 冉晓雯;颜国锡;柯杰斌;吴泉毅 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/40 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种有机薄膜晶体管,其包括基板、栅极、栅介电层、源极、漏极以及有机半导体层。栅极设置于基板上,而栅极具有一个顶面与两个侧壁。栅介电层全面且连续地覆盖基板与栅极的顶面与侧壁。源极设置于栅极顶面的栅介电层上且漏极设置于栅极旁的栅介电层上,或源极设置于栅极旁的栅介电层上且漏极设置于栅极顶面的栅介电层上。有机半导体层全面且连续地覆盖源极与漏极,其中位于侧壁上的有机半导体层是作为通道而电连接源极与漏极。此有机薄膜晶体管的结构可有效地提高元件操作特性与驱动能力。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管,其特征是包括:基板;栅极,设置于该基板上,且该栅极具有一个顶面与两个侧壁;栅介电层,全面且连续地覆盖该基板与该栅极的该顶面与上述这些侧壁;源极及漏极,该源极设置于该栅极的该顶面的该栅介电层上且该漏极设置于该栅极旁的该栅介电层上,或该源极设置于该栅极旁的该栅介电层上且该漏极设置于该栅极的该顶面的该栅介电层上;以及有机半导体层,全面且连续地覆盖该源极与该漏极,其中位于上述这些侧壁上的该有机半导体层是作为通道而电连接该源极与该漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510127715.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:检测风冷散热系统散热性能的装置及方法
- 下一篇:自卷展示广告旗
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择