[发明专利]磁阻性随机存取存储阵列有效
| 申请号： | 200510127722.4 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1815623A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 彭远清;林学仕;陈伟铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08;H01L27/105;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种磁阻性随机存取存储阵列，具体涉及磁阻性随机存取存储器元件，包括一拥有磁阻堆叠的磁阻性随机存取存储器阵列。该磁阻性随机存取存储器阵列亦包括一系列耦接至该等磁阻堆叠的位线与字线。借该磁阻性随机存取存储器阵列的电路布局方式，可增加沿着一共同导体相邻接的磁阻堆叠间的距离，而降低邻近存储单元间的相互干扰，却不必增加该磁阻性随机存取存储器阵列的电路布局总面积。邻近的磁阻堆叠被交错排列。耦接至一共同字线或一共同位线的磁阻堆叠可交错排列。该交错排列的电路布局方式可使磁阻性随机存取存储器阵列在固定的面积下，增加相邻近的磁阻堆叠间的距离，因而降低诸如于进行存储器写入动作时邻近的磁阻堆叠相互间的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取 存储 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻性随机存取存储阵列，所述磁阻性随机存取存储阵列包括：一第一导体；以及第一多个的磁阻堆叠，耦接至该第一导体，其中该第一多个的磁阻堆叠呈相互交错排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510127722.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
