[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200510127800.0 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1797159A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 崔荣锡;庾弘宇;曹基述;李在晤;丁辅径 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板。所述薄膜晶体管阵列基板包括连接到栅线的栅极；连接到数据线的源极，所述数据线与所述栅线相交以限定像素区；漏极，与所述源极相对且其间具有沟道；半导体层，形成所述源极和所述漏极之间的沟道；沟道钝化层，形成在所述沟道上以保护所述半导体层；像素电极，设置所述像素区以与所述漏极相连；存储电容，包括延伸在栅线上方以的所述像素电极，以在其上层迭有半导体层图案和金属层图案的栅绝缘层上形成存储区域；从所述栅线延伸出来的栅焊盘；以及从所述数据线延伸出来的数据焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列基板，包括：栅极，连接到栅线；源极，连接到数据线，所述数据线与所述栅线交叉以限定像素区；漏极，与所述源极相对且其间具有沟道；半导体层，形成所述源极和所述漏极之间的沟道；沟道钝化层，形成在所述沟道上以保护所述半导体层；像素电极，设置所述像素区以与所述漏极相连；存储电容，包括延伸在栅线上方的像素电极以在其上层迭有半导体层图案和金属层图案的栅绝缘层上形成存储区域；栅焊盘，从所述栅线延伸出来；以及数据焊盘，从所述数据线延伸出来。
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