[发明专利]金属硅化物纳米线及其制作方法无效
| 申请号： | 200510127904.1 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1979828A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;岳双林;罗强;金爱子 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金属硅化物纳米线，具有的线宽最小为7纳米。该金属硅化物纳米线的制作方法，包括在单晶硅衬底上生长一层绝缘膜，利用纳米尺度的加工技术刻蚀出用于制作金属硅化物纳米线的沟槽，采用金属溅射和蒸镀方法，在制作有纳米沟槽的硅衬底2上，沉积金属膜层4，进行高温退火使金属与沟槽底部暴露的单晶硅反应，生成金属硅化物，再采用化学腐蚀方法，腐蚀掉表面未反应的金属，在纳米沟槽内制作出分立的金属硅化物纳米线。本发明的金属硅化物纳米线具有位置、形状和线宽可控的特点，所以制备的金属硅化物纳米线可以应用于集成电路作为金属互连线，源漏和栅电极，完全可以根据实际需要进行制作。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 纳米 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属硅化物纳米线，其特征在于，所述的金属硅化物纳米线包括：硅化钛纳米线、硅化镍纳米线、硅化钴纳米线、硅化钨纳米线、硅化钼纳米线和硅化铁纳米线；所述的金属硅化物纳米线的线宽为7-100纳米之间，长度在0.1-100微米之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510127904.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可由TA充电器供应电源的移动终端
- 下一篇：硬盘录制方法
