[发明专利]半导体晶片的半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200510128422.8 | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1797762A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;徐祖望;彭宝庆;杨富量 | 申请（专利权）人： | 中国台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片的半导体结构及其形成方法，具体涉及一种形成双栅极结构的方法，在一第一基底上形成一厚度小于30nm的埋层绝缘层；在埋层绝缘层上形成一第二基底；在第二基底上形成一垫层；在垫层上形成一遮罩层；形成一第一沟槽，延伸穿过垫层、第二基底、埋层绝缘层至第一基底中；以一绝缘材料将第一沟槽填满；以一导电材料将绝缘材料中的第二沟槽填满；在第二基底上形成一MOS晶体管。在埋层绝缘层下形成一底部栅极，且自对准于形成在第二基底上的顶部栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：一第一基底，该第一基底上具有一厚度小于30nm的埋层绝缘层；一第二基底，形成在该埋层绝缘层上；一第一绝缘区域，延伸穿过该第二基底、该埋层绝缘层以及部分该第一基底；以及一基底接点，形成在该第一绝缘区域中。
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