[发明专利]晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法

摘要

提供了一种半导体储存器件的晶体管阵列。多个从半导体衬底体部分向外延伸的半导体柱被排列成行和列。每个柱形成垂直沟道存取晶体管的有源区。在柱行之间形成绝缘沟槽。掩埋字线在绝缘沟槽内沿柱行延伸。在柱列之间形成位线沟槽。位线在位线沟槽下部中垂直于字线延伸。第一和第二柱列面对相邻的每个位线。每个位线经由多晶硅形成的单侧位线接触耦合到第一柱列的柱中的有源区，并与第二柱列的柱的有源区绝缘。

主权项

1.一种存取晶体管阵列，它包含：半导体衬底；多个从衬底体部分向外延伸并排列成行和列的衬底柱，每个衬底柱形成垂直沟道存取晶体管的有源区；分隔各柱行的绝缘沟槽；绝缘栓列，每个绝缘栓将每行柱内的相邻柱分开，每列绝缘栓具有相对的第一和第二侧，第一侧与第一列柱相邻，而第二侧与第二列柱相邻；用来控制存取晶体管的字线，这些字线被安置在绝缘沟槽内，每个字线设置成与相应的柱行的柱相邻，并通过栅电介质与相应的柱绝缘；以及用来转移电荷的位线，这些位线被设置在绝缘栓下方，并沿绝缘栓的列延伸，每个位线经由相应的单侧位线接触耦合到第一柱列的柱中的有源区，且每个位线与第二柱列的柱的有源区绝缘。