[发明专利]用于制造半导体器件的相移掩膜有效
| 申请号： | 200510128564.4 | 申请日： | 2003-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1800972A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 渡边健一;河野通有;難波浩司;助川和雄;长谷川巧;泽田丰治;三谷纯一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种相移掩膜，其中包括：形成在透明基片上的相移膜；以及形成在该透明基片的划线区域中的遮光膜的相移掩膜，其中由所述划线区域所包围的区域包括要形成集成电路部分的集成电路区域，以及要形成在所述集成电路部分的外围的外围边缘部分的外围边缘区域，以及所述遮光膜至少形成在一部分所述外围边缘区域和所述集成电路区域中。该相移掩膜用于制造具有防潮性能的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 相移 | ||
【主权项】：
1.一种相移掩膜，其中包括：形成在透明基片上的相移膜；以及形成在该透明基片的划线区域中的遮光膜的相移掩膜，其中由所述划线区域所包围的区域包括要形成集成电路部分的集成电路区域，以及要形成在所述集成电路部分的外围的外围边缘部分的外围边缘区域，以及所述遮光膜至少形成在一部分所述外围边缘区域和所述集成电路区域中。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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