[发明专利]静电放电防护电路及相关技术

摘要

本发明提供了一种静电放电防护电路及相关技术。当芯片上的某一欲保护接垫与地接垫之间发生静电放电事件时，本发明根据该欲保护接垫与另一电源接垫间的电压差来触发欲保护接垫与地接垫间的箝制电路，以进行静电放电防护。一般来说，芯片的电源接垫与地接垫间本来就具有电容效应－像是设置有用来维护电力稳定的去耦电容，所以在静电放电事件发生时，电源接垫上的电压不会随欲保护接垫上的电压快速升高，并能提供足以触发箝制电路的电压差。根据此原理，本发明即可利用芯片上原本就具备的电容效应来减少静电放电防护电路的布局面积。

主权项

1.一种防护电路，其可防护静电放电事件；该防护电路包含有：一第一p型金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接于一第一接垫、一栅极连接于一第二接垫与一漏极；一第一n型金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接于一第三接垫、一漏极连接至该第一p型金属氧化物半导体晶体管的漏极与一栅极；一箝制电路，连接于该第一接垫与一第三接垫之间；该箝制电路设有一受控端连接至该第一p型金属氧化物半导体晶体管的漏极；一第二p型金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至该第一p型金属氧化物半导体晶体管的栅极、一漏极连接该第一n型金属氧化物半导体晶体管的栅极与一栅极；以及一调整电路连接于该第一接垫与该第二p型金属氧化物半导体晶体管的栅极，以提供一参考电平至该第二p型金属氧化物半导体晶体管的栅级，其中当该第一接垫上的电力电平高于该第二接垫上的电力电平且两者间的差异已经超过该第一p型金属氧化物半导体晶体管的临限电压，则该第一p型金属氧化物半导体晶体管导通，产生一触发讯号以导通该箝制电路，其中当该第二接垫上的电力电平高于该参考电平且两者间的差异已经超过该第二p型金属氧化物半导体晶体管的临限电压，则该第二p型金属氧化物半导体晶体管导通，使该第一n型金属氧化物半导体晶体管产生一反触发讯号以关闭该箝制电路。