[发明专利]形成具有镶嵌式浮置栅极的非挥发性存储器的方法

摘要

本发明揭露了一种形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法。包括提供一衬底，该衬底具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上。接着转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层。然后形成一埋藏扩散区于该衬底内。接着形成一第二介电层于该衬底上。然后回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层。接着蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠。然后形成浅沟渠隔离于该沟渠。接着转移一浮置栅极图案至该第一介电层与该第二介电层，并移除该第一介电层以曝露部分该垫介电层。接着移除该曝露之垫介电层以暴露出该衬底。然后形成一隧道氧化层于该衬底暴露出的部分。接着形成一第一导体层于该隧道氧化层与该衬底上。然后平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离。接着形成一闸间介电层该第一导体层与该浅沟渠隔离上。最后形成一第二导体层于该闸间介电层上。

主权项

1.一种形成具有镶嵌式浮置栅极之非挥发性存储器的方法，该方法至少包含下列步骤：提供一衬底，该衬底具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上；转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层；形成一埋藏扩散区于该衬底内；形成一第二介电层于该衬底上；回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层；蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠；形成浅沟渠隔离于该沟渠；转移一浮置栅极图案至该第一介电层与该第二介电层；移除该第一介电层以曝露部份该垫介电层；移除该曝露之垫介电层以暴露出该衬底；形成一隧道氧化层于该衬底暴露出的部份；形成一第一导体层于该隧道氧化层与该衬底上；平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离；形成一闸间介电层该第一导体层与该浅沟渠隔离上；及形成一第二导体层于该闸间介电层上。