[发明专利]电容检测型传感器无效
| 申请号： | 200510128904.3 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1782721A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 川畑贤;中村雅仁 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;G06K9/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电不容易引起配线断裂、且能够获得分辨率高、S/N之比大的检测信号的静电电容检测型传感器。静电电容检测型传感器具有：从列配线延伸的第1电极(13)、从行配线延伸并设置在与第1电极(13)不同的层上的第2电极(12)、隔着绝缘膜(3)与第1电极(13)和第2电极(12)电独立的第3电极(5)、形成在第1电极(13)与第3电极(5)之间的第1静电电容区域(C1)、以及形成在第2电极(12)与第3电极(5)之间的第2静电电容区域(C2)。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 检测 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上呈矩阵状地配设有行配线和列配线的静电电容检测型传感器，其特征在于，在上述行配线与上述列配线的交叉部具备：从上述行配线延伸的第1电极、从上述列配线延伸并设置在与上述第1电极不同的层上的第2电极、隔着绝缘膜与上述第1电极和上述第2电极电独立的第3电极、形成在上述第1电极与上述第3电极之间的第1静电电容区域、以及形成在上述第2电极与上述第3电极之间的第2静电电容区域，根据上述第1电极与上述第2电极之间的位移电流的变动来检测被检测物与上述第3电极之间的距离的变化。
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