[发明专利]半导体器件制作方法有效
| 申请号： | 200510128951.8 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1808689A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 田村友子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提出了一种低成本、高可靠性的半导体器件制作方法，其中通过从衬底剥离具有设于衬底上的薄膜晶体管等的元件形成层而制作半导体器件。在衬底上形成金属薄膜，对其进行等离子体处理以在该金属薄膜上形成金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜上形成元件形成层，形成绝缘薄膜以覆盖该元件形成层，在该绝缘薄膜和元件形成层内形成开口，通过该开口注入腐蚀剂以除去该绝缘薄膜和元件形成层，从该衬底上剥离该元件形成层。可以通过部分地除去该金属薄膜和金属氧化物薄膜并随后采用物理方法而进行该剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：在衬底上形成金属薄膜；对该金属薄膜执行等离子体处理从而在该金属薄膜上形成金属氧化物薄膜；在该金属氧化物薄膜上形成元件形成层；形成绝缘薄膜以覆盖该元件形成层；在该绝缘薄膜和元件形成层内形成开口；通过该开口引入腐蚀剂以除去该金属薄膜和金属氧化物薄膜；以及将该元件形成层和该衬底分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
