[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510128978.7 申请日: 2005-12-02
公开(公告)号: CN1787211A 公开(公告)日: 2006-06-14
发明(设计)人: 汤泽健 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体装置,其包括:多个电极焊盘(40);半导体基板(10),其具有露出每个上述电极焊盘(40)的中央区域的开口(52)的钝化膜(50);和凸块(60),其与每个上述电极焊盘(40)电连接、并以与上述开口(50)及其端口重叠的方式被设定。与上述钝化膜表面上的上述凸块接触的区域的至少一部分是凹凸面。因此提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体装置,包括:半导体基板,其具有多个电极焊盘和具有露出每个上述电极焊盘的中央区域的开口的钝化膜;和凸块,其与每个上述电极焊盘电连接而形成、并与上述开口及其端口以重叠的方式设定;其中与上述钝化膜表面上的上述凸块接触的区域的至少一部分是凹凸面。
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