[发明专利]绝缘膜以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510129035.6 | 申请日： | 2005-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1797717A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 山本裕子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有多个空孔的绝缘膜的形成方法。此外，提供以高成品率制造被高集成化的半导体器件的方法。在本发明中，为了实现层间绝缘膜的低介电常数化，通过使用激光束在形成层间绝缘膜中形成多个空孔来形成多孔绝缘膜。另外，使用以喷墨法为代表的液滴喷射法向所述多孔绝缘膜中排放包含导电性粒子的组成物后，烘焙来形成布线。激光束优选使用超短脉冲激光束。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘膜的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一绝缘膜；以及通过向所述第一绝缘膜照射激光束来形成多个空孔，从而形成多孔绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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