[发明专利]放大电路用偏置电路

摘要

本发明的课题是提供谋求了在宽频带中增益充分高的放大工作与在低的电源电压下的放大工作的兼顾的放大电路用偏置电路。在放大电路10中依次串联连接了接地点、MOS晶体管NN10、MOS晶体管NN11、电阻性负载RA10和电源电压VDD，偏置电路12对放大电路10供给偏置电压。对MOS晶体管NN10的栅供给偏置电压VR1，对MOS晶体管NN11的栅供给第2偏置电压VR2。偏置电路12包含以二极管方式连接了栅与漏的MOS晶体管NB10，MOS晶体管NB10的漏供给放大电路10的第1偏置电压VR1。偏置电路12包含依次串联连接的MOS晶体管NB11、MOS晶体管NB12和电阻性负载RB10。将电阻性负载RB10连接到电源电压VDD上，将MOS晶体管NB11的栅连接到MOS晶体管NB10的漏上，以二极管方式连接MOS晶体管NB12的栅与漏，从栅供给第2偏置电压VR2。

主权项

1.一种放大电路用偏置电路，对依次串联连接了接地点、第1晶体管、第2晶体管、第1电阻性负载和第1电源电压的放大电路供给偏置电压，其特征在于：对该放大电路的上述第1晶体管的栅或基极供给第1偏置电压，对该放大电路的上述第2晶体管的栅或基极供给第2偏置电压，该偏置电路包含以二极管方式连接了栅与漏或集电极与基极的第3晶体管，该第3晶体管的漏或集电极供给上述放大电路的第1偏置电压，该偏置电路还包含依次串联连接的第4晶体管、第5晶体管和第2电阻性负载，将第2电阻性负载连接到第2电源电压上，将上述第4晶体管的栅或基极连接到上述第3晶体管的漏或集电极上，以二极管方式连接第5晶体管的栅与漏或基极与集电极，从该栅或集电极供给上述第2偏置电压。