[发明专利]半导体存储装置

摘要

提供一种半导体存储装置，具有多层布线，提高电容器的氢阻挡性、且可缓和应力对电容器造成的不良影响，抑制电容器的特性劣化。该半导体存储装置(100a)，具有配置多个构成存储单元的存储单元晶体管及存储单元电容器而成的存储单元阵列(Am)，具有：在上述存储单元阵列上形成的构成字线衬里布线(6a)和板线衬里布线(6b)的第一布线层；和在上述第一布线层的上层上形成的构成位线衬里布线(7)的第二布线层，且由第一及第二布线层构成的多层布线的结构为：在上述存储单元阵列上上述第一布线层所占的面积比在该存储单元阵列上上述第二布线层所占的面积大。

主权项

1.一种半导体存储装置，具有配置多个构成存储单元的存储单元晶体管及存储单元电容器而成的存储单元阵列，其特征在于具有：在上述存储单元阵列上形成的第一布线层；和在上述第一布线层的上层上形成的第二布线层，且上述存储单元阵列上的上述第一布线层的布线密度比该存储单元阵列上的上述第二布线层的布线密度大。