[发明专利]半导体器件、SRAM以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510129125.5 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1770477A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 平野有一;一法师隆志 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够容易地在窄的有源区上设置接触部的工序的半导体器件和半导体器件等。本发明的半导体器件包括SOI衬底10、有源区3a、第一绝缘膜(完全分离绝缘膜)3b、第二绝缘膜(部分分离绝缘膜)3c和接触部4。这里，有源区3a形成在SOI层3的表面内。此外，第一绝缘膜3b在有源区3a的一侧形成，并且从SOI层3的表面形成至掩埋绝缘膜2。此外，第二绝缘膜3c在有源区3a的另一侧形成，并且从SOI层3的表面开始形成至未到达掩埋绝缘膜2的预定深度。此外，根据平面视图，接触部4相对于有源区3a的中心在第一绝缘膜3b存在的一侧设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 sram 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有顺序层叠半导体支撑衬底和掩埋绝缘膜以及SOI层的结构的SOI衬底；在所述SOI层表面内形成的有源区；在与所述有源区连接的一侧，从所述SOI层表面开始至所述掩埋绝缘膜形成的第一绝缘膜；在与所述一侧面对的所述有源区的另一侧，从所述SOI层表面至未到达所述掩埋绝缘膜的预定深度形成的第二绝缘膜；在平面视图中，相对于所述有源区的中心，在存在所述第一绝缘膜的一侧的所述有源区上设置的导体。
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