[发明专利]通过使用双有机硅氧烷前体制备低介电常数膜的方法无效
| 申请号： | 200510129146.7 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1854334A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 申铉振;郑铉潭;崔致圭 | 申请（专利权）人： | 三星康宁株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在此公开了一种制备介电膜的方法。根据该方法，通过将双有机硅氧烷前体通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积到晶片上制备了介电膜。由于通过该方法制备的介电膜具有低介电常数并且显示出较好的机械性能，例如弹性模量和硬度，因而所述介电膜可用作用于双镶嵌铜互连用半导体器件的层间介电膜或用作半导体和显示器件用钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 有机硅 氧烷前 体制 介电常数 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备介电膜的方法，包括通过将双有机硅氧烷前体和膜性能改进剂的混合物借助等离子体增强化学气相沉积法沉积到晶片上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
