[发明专利]多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法有效
申请号: | 200510129199.9 | 申请日: | 2005-09-28 |
公开(公告)号: | CN1782124A | 公开(公告)日: | 2006-06-07 |
发明(设计)人: | A·S·鲁卡斯;E·J·小卡瓦基;M·L·奥内尔;J·L·文森特;R·N·维蒂斯 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;H01L21/31;H01L27/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘健;赵苏林 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明披露了一种多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜:SivOwCxHyFz,其中v+w+x+y+z=100%,v为10-35%原子,w为10-65%原子,x为5-30%原子,y为10-50%原子,而z为0-15%原子,所述薄膜具有带碳键如甲基(Si-CH3)的硅酸盐网络并且有直径小于3nm当量球体直径的孔,且介电常数小于2.7。由有机硅烷和/或有机硅氧烷前体,以及独立的成孔前体,通过化学气相淀积方法沉积预备薄膜。成孔剂前体在预备薄膜内形成孔,随后被除去以提供多孔薄膜。组合物,即成膜成套工具包括:含至少一个Si-H键的有机硅烷和/或有机硅氧烷化合物,以及含醇、醚、羰基、羧酸、酯、硝基、伯胺、仲胺和/或叔胺官能团或其组合的烃的成孔剂前体。 | ||
搜索关键词: | 多孔 介电常数 组合 制备 方法 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种在具有孔且介电常数为2.7或更小的基材上形成有机硅酸盐玻璃多孔薄膜的化学气相沉积方法,所述方法包括:使包含至少一种有机硅烷和/或有机硅氧烷前体和选自如下的成孔剂前体的前体混合物进行反应:a)包含一个或更多个醇基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-z(OH)z的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为化合物中醇基的数量并且在1和4之间,并且其中醇官能团可是环外和/或环内的;b)包含一个或更多个醚基并且通式为CnH2n+2-2x-2yOz的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为结构中醚键的数量并且在1和4之间,并且其中醚键可是环外和/或环内的;c)包含一个或更多个环氧基团并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2zOz的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为结构中环氧基团的数量并且在1和4之间,并且其中环氧基团可连接至环上或直链上;d)包含一个或更多个醛基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2zOz的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为结构中醛基的数量并且在1和4之间;e)包含一个或更多个酮基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2zOz的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为结构中醛基的数量并且在1和4之间,并且其中酮基可是环外和/或环内的;f)包含一个或更多个羧酸基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-3z(OOH)z的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为结构中羧酸基的数量并且在1和4之间;(g)包含偶数个羧酸基并且酸官能团被脱水以形成环状酸酐基团的烃结构,其中,所述结构的通式为CnH2n+2-2x-2y-6z(O3)z,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为结构中酸酐基的数量并且为1或2;(h)包含酯基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且没有不饱和键与酯的羰基共轭,z为结构中酸酐基的数量并且为1或2;(i)包含丙烯酸酯官能团并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z的烃结构,所述官能团由酯基和至少一个与酯基的羰基共轭的不饱和键组成,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量且大于或等于1,其中至少不饱和键与酯的羰基共轭,z为结构中酯基的数量并且为1或2;(j)包含醚和羰基官能团并且通式为CnH2n+2-2w-2x-2y(O)y(O)z的烃结构,其中n=1-12,w是通式中环的数量并且在0和4之间,x是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,y是结构中羰基的数量,其中羰基可为酮和/或醛,z为结构中醚基的数量并且为1或2,并且醚基可是环外或环内的;(k)包含醚和醇官能团并且通式为CnH2n+2-2w-2x-2y(OH)y(O)z的烃结构,其中n=1-12,w是结构中环的数量且在0和4之间,x是结构中不饱和键的数量并且在0-n之间,y是结构中醇基的数量,z为结构中醚基的数量并且为1或2,并且其中醚基可是环外或环内的;(l)包含选自醇、醚、羰基和羧酸的官能团的任意组合并且通式为CnH2n+2+2u-2v-w-2y-3z(OH)w(O)x(O)y(OOH)z的烃结构,其中n=1-12,u是结构中环的数量且在0和4之间,v是结构中不饱和键的数量且在0和n之间,w是通式中醇基的数量并且在0和4之间,x是结构中醚基的数量并且在0和4之间且该醚基可是环外或环内的,y是结构中羰基的数量且在0和3之间,其中羰基可为酮和/或醛,z为结构中羧酸基的数量并且在0和2之间;(m)包含一个或更多个伯胺基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-z(NH2)z的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为化合物中胺基的数量并且在1和4之间,并且其中胺官能团可是环外和/或环内的;(n)包含一个或更多个仲胺基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-2z(NH)z的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为化合物中仲胺基的数量并且在1和4之间,并且其中胺官能团可是环外和/或环内的;(o)包含一个或更多个叔胺基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-3z(N)z的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为化合物中叔胺基的数量并且在1和4之间,并且其中胺官能团可是环外和/或环内的;(p)包含一个或更多个硝基并且通式为CnH2n+2-2x-2y-z(NO2)z的烃结构,其中n=1-12,x是结构中环的数量并且在0-4之间,y是结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,z为化合物中硝基的数量并且在1和4之间,并且其中硝基官能团可是环外和/或环内的;(q)包含胺和醚官能团并且通式为CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z的烃结构,其中n=1-12,u是结构中环的数量并且在0和4之间,v是结构中不饱和键的数量且在0和n之间,w是伯胺基的数量,x是仲胺基的数量,y是叔胺基的数量,并且1<w+x+y<4,并且其中z为化合物中醇基的数量并且在1和4之间,并且醇基和/或胺基可是环外和/或环内的;(r)含胺和醇官能团并且通式为CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z的烃结构,其中n=1-12,u是结构中环的数量并且在0和4之间,v为结构中不饱和键的数量并且在0和n之间,w是伯胺基的数量,x是仲胺基的数量,y是叔胺基的数量,并且1<w+x+y<4,z为化合物中醚基的数量并且在1和4之间,且醚基和/或胺基可是环外和/或环内的;(s)及其混合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于气体产品与化学公司,未经气体产品与化学公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510129199.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的