[发明专利]半导体器件及制造其的方法

摘要

一种具有SJ结构的半导体器件，其具有耐压值高于单元区域的耐压值的周边区域。在周边区域(23)的半导体层(22)内形成包含第二导电型杂质的半导体上层(52)和包含第一导电型杂质的半导体下层(23)，其中半导体下层的杂质浓度低于构成单元区域的组合的第一部分区域(25、27)。在所述半导体上层(52)的表面上形成场氧化层(54)。

主权项

1.一种半导体器件，包含其内形成有竖直半导体开关单元组的单元区域和位于所述单元区域的周边的周边区域，包括：从所述单元区域连续形成至所述周边区域的半导体层；覆盖所述周边区域内的半导体层的表面的绝缘层；和至少覆盖所述单元区域侧的绝缘层表面的导体层，其中，在所述单元区域的所述半导体层的下区域内形成一种超级结结构；在所述超级结结构内，在与层厚方向垂直的平面内重复形成沿层厚方向延伸并且包含第一导电型杂质的第一部分区域与沿层厚方向延伸并且包含第二导电型杂质的第二部分区域的组合；在周边区域内的半导体层内形成包含第二导电型杂质的半导体上层和包含第一导电型杂质的半导体下层，其中所述半导体下层的杂质浓度低于构成所述单元区域的所述组合的所述第一部分区域，并且导体层与构成竖直半导体开关单元组的表面侧上的主电极相连。