[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200510129559.5 | 申请日： | 2005-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1822225A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 山上由展 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/409;G11C11/417;G11C11/419;G11C7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件，其确保对所有存储单元进行的写操作，而与由制造误差等引起的存储单元的性能上的起伏无关，并且可以减少写操作时间和功耗。根据写放大器控制信号WAE控制存储单元1和虚拟存储单元1a的写操作。根据写完成信号WRST确定写操作结束时刻，该写完成信号WRST表示虚拟存储单元1a的储存状态。设计虚拟存储单元1a和外围电路使得虚拟存储单元1a所需的写时间大于或等于存储单元1所需的写时间的最大值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器件，其中通过使用虚拟存储单元来确定存储单元的写操作结束时刻，其包括：多个存储单元；虚拟存储单元；写状态检测部件，在所述虚拟存储单元采取预定存储状态时，输出写完成信号；以及写操作部件，用于基于所述写完成信号执行写操作；其中所述虚拟存储单元所需的写时间大于所述存储单元所需的写时间的最大值。
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