[发明专利]具有外延沉积层的半导体晶片以及该半导体晶片的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体晶片，其包括由n型或p型掺杂剂原子掺杂的具有一个正面和一个背面的单晶硅基体晶片，以及在该基体晶片的正面上外延沉积的层，以及电阻率低于该基体晶片的n⁺⁺型或p⁺⁺型掺杂的层，该层在所述外延层的下方从该基体晶片的正面延伸进入该基体晶片内，并具有一定的厚度。本发明还涉及该半导体晶片的制造方法，其特征在于，使n型或p型的掺杂剂原子通过该基体晶片的正面引入该基体晶片内，在从该基体晶片的正面延伸进入该基体晶片内的层中的掺杂剂浓度从n⁺或p⁺级提高至n⁺⁺或p⁺⁺级，并在该基体晶片的正面上沉积一层外延层。

主权项

1、半导体晶片，其包括由n型或p型掺杂剂原子掺杂的具有一个正面和一个背面的单晶硅基体晶片，以及在该基体晶片的正面上外延沉积的层，以及电阻率低于该基体晶片的n++型或p++型掺杂的层，该层在所述外延层的下方从该基体晶片的正面延伸进入该基体晶片内，并具有一定的厚度。