[发明专利]经涂覆的半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法和装置有效
| 申请号： | 200510129581.X | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1805122A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 赖因哈德·绍尔;诺贝特·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基座，其用于在由化学气相沉积法(CVD)于半导体晶片正面上沉积层期间将该半导体晶片置于该基座上，其具有一种透气的结构，该结构的孔隙率至少为15％，密度为0.5至1.5g/cm3，孔直径小于0.1mm且孔的内表面积大于10,000cm2/cm3。本发明还涉及半导体晶片，其具有一个由化学气相沉积法(CVD)涂覆的正面和一个经抛光或蚀刻的背面，其特征在于，该背面的表示为高度起伏PV(＝峰与谷的高度起伏)的纳米形貌低于5nm，同时该背面的表示为光雾的“晕圈”现象小于5ppm。本发明还涉及该半导体晶片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 经涂覆 半导体 晶片 以及 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、基座，其用于在由化学气相沉积法(CVD)于半导体晶片正面上沉积层期间将该半导体晶片置于该基座上，其特征在于一种透气的结构，该结构的孔隙率至少为15％，密度为0.5至1.5g/cm3，孔直径小于0.1mm，孔的内表面积大于10,000cm2/cm3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
