[发明专利]减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法有效
| 申请号： | 200510129672.3 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1815701A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 杨令武;陈光钊;骆统 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件工艺的方法，包含：在晶圆衬底上提供第一层，在该第一层上提供多晶硅层，在该多晶硅层内注入氮离子，在多晶硅层上形成金属硅化物层，以及形成源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 离子 注入 产生 多晶 金属 空洞 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件制造方法，其包含：在晶圆衬底上提供第一层；在该第一层上提供多晶硅层；在该多晶硅层上注入氮离子；在该多晶硅层上形成金属多晶硅化物层；以及形成源极和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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