[发明专利]半导体结构及其工艺方法无效
| 申请号： | 200510129707.3 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1979817A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 吴炳昌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/485;H01L23/525;H01L21/00;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，此半导体结构包括一衬底、一焊垫、一熔丝结构与一保护层。衬底具有焊垫区与熔丝区。焊垫配置于焊垫区的衬底中。熔丝结构配置于熔丝区的衬底中。保护层配置于衬底上，覆盖焊垫区与熔丝区，以避免焊垫氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一衬底，该衬底具有一焊垫区与一熔丝区；一焊垫，配置于该焊垫区的该衬底中；一熔丝结构，配置于该熔丝区的该衬底中；以及一保护层，配置于该衬底上，覆盖该焊垫区与该熔丝区。
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