[发明专利]开口及接触窗的制造方法有效
申请号: | 200510129715.8 | 申请日: | 2005-12-01 |
公开(公告)号: | CN1979774A | 公开(公告)日: | 2007-06-13 |
发明(设计)人: | 郑懿芳;周孝邦 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/768;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种开口及接触窗的制造方法。在开口的制造过程中,在于介电层上形成光致抗蚀剂层以定义开口图案之前,先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层,可防止因介电材料成分外逸而与光致抗蚀剂层产生反应,进而造成显影不完全的问题。另一方面,在形成接触窗的制造过程中,在接触窗开口表面形成一阻障层之前,先对裸露的介电层表面进行一处理步骤以形成一膜层,可防止因介电材料成分外逸而与阻障层产生反应,进而使阻障层产生缺陷的问题。 | ||
搜索关键词: | 开口 接触 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种开口的制造方法,包括:于一导体层上形成一介电层;于该介电层上形成一图案化的掩模层,该图案化的掩模层暴露出预定形成沟渠的部分该介电层;对被该图案化的掩模层所暴露出的该介电层表面进行一处理步骤,以形成一膜层,其中该膜层是可避免该介电层中的成分逸失;于该图案化掩模层及暴露出来的部分该介电层上形成一图案化的光致抗蚀剂层,该图案化的光致抗蚀剂层暴露出预定形成接触窗开口的部分该介电层;以该图案化的光致抗蚀剂层为掩模,移除部分的暴露的该介电层,以形成一部份的接触窗开口;移除该图案化的光致抗蚀剂层;以及以该图案化的掩模层为掩模,移除暴露的该介电层直到该导体层表面暴露出来,以于该介电层中形成一沟渠与一完整的接触窗开口,其中该沟渠位于该接触窗开口上方。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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