[发明专利]氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510129741.0 | 申请日： | 2005-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1787247A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 幡俊雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法，所述方法包括的步骤为：在衬底(10)上形成包括多层氮化物基化合物半导体层(5、6)的半导体层结构；通过激光辐射从所述半导体层结构去除所述衬底；清洁所述半导体层结构的暴露的表面(81)，所述暴露的表面是由去除所述衬底所暴露的表面；以及在所述清洁的暴露的表面(8、83)上形成电极(7、11)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法，包括的步骤为：在衬底(10)上形成包括多层氮化物基化合物半导体层(5、6)的半导体层结构；通过激光辐射从所述半导体层结构去除所述衬底；清洁所述半导体层结构的暴露的表面(81)，所述暴露的表面是由去除所述衬底所暴露的表面；以及在所述清洁的暴露的表面(8、83)上形成电极(7、11)。
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