[发明专利]导线的制造方法以及缩小导线与图案间距的方法有效
| 申请号： | 200510129767.5 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1979802A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 赖亮全;王炳尧;林诗绮 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种缩小导线间距的方法，首先提供基底，然后于基底上形成一层第一导体层。接着，图案化第一导体层，于第一导体层中形成多个开口。之后于第一导体层的侧壁形成多个间隙壁，这些间隙壁的宽度小于开口的宽度。继而于基底上形成第二导体层填入该些开口，且暴露出各间隙壁的顶部，其中间隙壁将第一导体层与第二导体层隔离开来，间隙壁的宽度即为第一导体层与第二导体层之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 导线 制造 方法 以及 缩小 图案 间距 | ||
【主权项】：
1.一种缩小导线间距的方法，包括：提供基底；于该基底上形成第一导体层；图案化该第一导体层，于该第一导体层中形成多个开口；于该第一导体层的侧壁形成多个间隙壁，各该间隙壁的宽度小于该开口的宽度；以及于该基底上形成第二导体层填入该些开口；暴露出各该间隙壁的顶部，其中该间隙壁将该第一导体层与该第二导体层隔离开来，该间隙壁的宽度即为该第一导体层与该第二导体层之间的间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
