[发明专利]磁存储器件及其控制和制造方法有效
| 申请号： | 200510129769.4 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1866395A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 黄仁俊;金泰完;郑元哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁随机存取存储(MRAM)器件及其控制和制造方法。所述器件的示范性实施例包括：具有自由层的磁隧道结；具有覆盖自由层表面的第一部分的第一电极(第一磁场产生元件)，以及通过一连接而连接到第一电极的电源，该连接覆盖第一电极的的第一部分的不到一半。MRAM器件的另一示范性实施例包括：磁隧道结；在该磁隧道结的相对侧上直接连接到所述磁隧道结的第一和第二电极(第一和第二磁场产生元件)；以及电源，具有通过第一连接而连接到第一电极的一个极和通过第二连接而连接到第二电极的第二极，其中第一和第二连接从第一和第二电极与磁隧道结之间的连接横向偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 控制 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器件，包括：磁隧道结，包括自由层；第一磁场产生元件，具有覆盖所述自由层的表面的第一端部；以及电源，通过一连接被连接到所述第一磁场产生元件，所述连接覆盖所述第一磁场产生元件的第一部分的不到一半。
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