[发明专利]垂直结构的半导体芯片或器件的批量生产方法

摘要

本发明揭示垂直结构的高亮度半导体芯片或器件(包括AlGaInP基LED)和低成本高产率的批量生产方法。本发明的生产垂直结构的铝镓铟磷(AlGaInP)基LED的工艺流程包括：生长第一类型限制层在生长衬底上，层叠反射/欧姆/应力缓冲层于第一类型限制层上，键合导电支持衬底于反射/欧姆/应力缓冲层上，导电支持衬底与反射/欧姆/应力缓冲层相键合的一面也可以有蚀刻形成的纹理结构，以减低热失配的应力。第一电极层叠在导电支持衬底的另一面上。剥离生长衬底，第一类型限制层暴露。在暴露的第一类型限制层上依次生长发光层、第二类型限制层、电流扩散层、和第二电极。

主权项

1.一种低成本的批量生产垂直结构的半导体芯片或器件的方法，包括下述工艺步骤：-提供一个生长衬底；所述的生长衬底的晶格常数与所述的半导体芯片或器件的外延层的晶格常数相同或相近，所述的生长衬底的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于，砷化镓；-外延生长第一类型限制层于所述的生长衬底上；第一类型限制层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于，n-砷化镓(GaAs)，n-磷化镓(GaP)，n-铝镓砷(AlGaAs)，n-铝镓铟磷(AlGaInP)，p-砷化镓(GaAs)，p-磷化镓(GaP)，p-铝镓砷(AlGaAs)，p-铝镓铟磷(AlGaInP)；-键合导电的支持衬底的一面于所述的第一类型限制层上，形成键合晶片；所述的导电的支持衬底的另一面上层叠第一电极；所述的导电的支持衬底的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于，导电硅晶片，金属片，金属合金片，导电磷化镓晶片；-从所述的键合晶片上剥离所述的生长衬底，使得所述的第一类型限制层暴露；剥离的方法是从一组方法中选出，该组方法包括，但不限于，精密研磨/抛光，蚀刻，或它们的组合；-依次外延生长发光层和第二类型限制层于所述的暴露的第一类型限制层上；所述的发光层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于，砷化镓(GaAs)，磷化镓(GaP)，铝镓磷(AlGaAs)，铝镓铟磷(AlGaInP)；所述的发光层的结构是从一组结构中选出，该组结构包括，但不限于，单量子阱，多量子阱，体结构；-层叠第二电极于所述的第二类型限制层上。