[发明专利]氧化锡空心纳米材料的制备方法

摘要

氧化锡空心纳米材料的制备方法，涉及一种纳米材料的制备，尤其是涉及一种以氧化锌为牺牲模板制备氧化锡空心纳米材料的方法。提供一种制备各种形态的SnO₂空心纳米材料的通用方法。步骤为制备ZnO纳米材料，制备SnH₄前驱体，产生的气体SnH₄通过N₂携带进入一个气囊中备用，生长SnO₂外壳，即在硅片衬底上生长得到具有核－壳结构的ZnO/SnO₂复合材料，最后除去ZnO内核，即得到保持ZnO初始外形的SnO₂空心纳米材料。优点是ZnO纳米材料具有极其丰富的形态，SnO₂空心材料外壁的结晶度良好，SnO₂空心材料外壁的厚度可控。

主权项

1、氧化锡空心纳米材料的制备方法，其特征在于其步骤如下：1)ZnO模板的制备：通过化学气相沉积、离子液体或激光溅射方法制备ZnO纳米材料；2)SnH4前驱体的制备：将SnCl4·5H2O水溶液滴加到KOH和KBH4混合水溶液中，产生的气体SnH4通过N2携带进入一个气囊中备用；3)SnO2外壳的生长：将制备好的ZnO纳米材料分散在裁好的硅片衬底上，然后放置在化学气相沉积装置的反应腔中作为SnO2生长的衬底，待反应腔抽真空后，将硅片衬底加热到600～800℃，通入配制好的SnH4/N2混合气，沉积后停止供应SnH4/N2混合气并关闭加热控制器的电源使硅片自然降温，最后关闭真空系统，即在硅片衬底上生长得到具有核-壳结构的ZnO/SnO2复合材料；4)ZnO内核的除去：沉积SnO2后所得的产物连同硅片衬底浸泡在盛有稀酸溶液的培养皿中，再用清水清洗至pH呈中性后干燥，即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心纳米材料。