[发明专利]气体供给装置、基板处理装置及供给气体设定方法有效
申请号: | 200510130387.3 | 申请日: | 2005-12-09 |
公开(公告)号: | CN1787170A | 公开(公告)日: | 2006-06-14 |
发明(设计)人: | 水泽兼悦;伊藤惠贵;伊藤昌秀 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在气体供给装置(100)上设置具有多个气体供给源的第一气体箱(111)和具有多个附加气体供给源的第二气体箱(113)。各气体供给源连接有混合管道(120),混合管道(120)连接有通过不同缓冲室(63a、63b)的分支管道(122、123)。分支管道中分别设有压力调整部,由压力比控制部(126)调整压力比。在分支管道(123)的压力调整部下游侧连接有通过第二气体箱(113)的附加气体供给管道(130)。第一气体箱(111)的各气体由混合管道(120)混合,由分支管道分流,供给到各缓冲室。分支管道(123)上附加有第二气体箱(113)的附加气体,向缓冲室(63b)供给与缓冲室(63a)不同的混合气体。由此由简单管道结构向处理容器的多处供给任意的混合气体。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 装置 处理 设定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气体供给装置,是向对基板进行处理的处理容器供给气体的气体供给装置,其特征在于,包括:多个气体供给源;将从所述多个气体供给源所供给的多种气体进行混合的混合管道;将由所述混合管道所混合的混合气体进行分流并供给到处理容器的多处的多个分支管道;和向在至少一个分支管道中所流过的混合气体供给规定的附加气体的附加气体供给装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造