[发明专利]一种紫外固化纳米压印模版的制备方法有效
| 申请号： | 200510130437.8 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979341A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 涂德钰;王丛舜;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子学与纳米电子学中的微纳加工领域，特别涉及一种紫外固化纳米压印模版的制备。其工艺步骤如下：1.在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜；2.旋涂抗蚀剂；3.淀积一层导电薄膜；4.光刻、显影得到模版图形；5.以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料，将模版图形转移到薄膜上；6.去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 固化 纳米 压印 模版 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种紫外固化纳米压印模版的制备方法，是由两次淀积、一次光刻和一次刻蚀，获得紫外固化纳米压印模版；其特征在于，其步骤如下：步骤1、在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜；步骤2、旋涂抗蚀剂；步骤3、淀积一层导电薄膜；步骤4、光刻、显影得到模版图形；步骤5、以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料，将模版图形转移到薄膜上；步骤6、去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版。
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