[发明专利]采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法有效
| 申请号： | 200510130438.2 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1979768A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;刘明;陈宝钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法。本发明的主要特征是利用电子束邻近效应，采用电子束光刻(EBL)在各种衬底上获得间距为纳米尺度的一对或一组具有线条、孔等各种形状的正性电子抗蚀剂凹槽图形，再辅以金属淀积和剥离工艺制备各种金属材料纳米电极。其主要步骤包括：在衬底上涂敷正性电子抗蚀剂；前烘；电子束直写曝光；显影；定影；蒸发或溅射金属；在丙酮中进行剥离。采用这种方法制备的金属纳米电极的间距可达到30－100nm，可用于制作各种量子点器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等多种器件或电路。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、用途多、能与传统CMOS工艺兼容的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 电子 抗蚀剂 制备 金属 纳米 电极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用正性电子抗蚀剂，利用电子束光刻、金属淀积和剥离工艺制备金属纳米电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上涂敷正性电子抗蚀剂；(2)前烘；(3)电子束直写曝光；(4)显影；(5)定影；(6)淀积电极材料；(7)剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
