[发明专利]细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料

摘要

本发明公开了属于电容器材料技术领域的一种细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。该材料包括固溶体主料Ba_m(Ti_1－xZr_x)O₃和A组分、B组分组成的添加剂。其中A组分为Ba、Ca、Mn等金属氧化物及前驱体；B组分为稀土元素的氧化物及这些氧化物的前驱体。在还原气氛中在1150～1300℃之间进行烧结，晶粒尺寸0.5～3μm，室温介电常数7600～23300，室温介电损耗小于1％，绝缘电阻率大于10¹¹Q·cm；采用该介质材料制成的贱金属内电极多层陶瓷片式电容器，介质层流延厚度小于10μm，烧结温度在1150～1300℃之间，温度特性满足Y5V要求，介质层晶粒的平均粒径小于1μm，击穿场强达到80kV/mm以上。该材料适用于薄层、大容量贱金属内电极多层陶瓷片式电容器的制造，具有广阔的发展前景。

主权项

1.一种细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，所述贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，由采用化学法合成的占介质材料总重量91～99wt％的钛酸钡与锆酸钡组成的主料固溶体Bam(Ti1-xZrx)O3和占介质材料总重量1～9wt％的包括A组分、B组分的添加剂组成，其特征在于：在粉料粒径小于500nm的主料固溶体Bam(Ti1-xZrx)O3中，0.99≤m≤1.01，0.10≤x≤0.20，所述添加剂的A组分包括BaO、CaO、MgO、ZnO、SiO2和MnO2中的一种或者一种以上的混合物，以及这些氧化物的前驱体；其中这些氧化物在配方中占介质材料总重量的比例为BaO：0.1～1wt％；CaO：0.1～1.5wt％；MgO：0～1wt％；ZnO：0～1.2wt％；SiO2：0.1～1.0wt％；MnO2：0.1～1.5wt％；所述添加剂的B组分为稀土元素La、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Y中一种或一种以上的氧化物及这些氧化物的前驱体；在配方中占介质材料总重量的0.1～1.6wt％。