[发明专利]气流分布均匀的刻蚀装置有效
| 申请号： | 200510130652.8 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1845298A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 孙亚林 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 司君智 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体晶片加工中的刻蚀装置。本发明气流分布均匀的刻蚀装置包括反应室和下电极支撑装置，其中下电极支撑装置由偶数个对称布置的连接套管组成。本发明的积极效果是：由于连接套管是对称布置的，所以气流受到的阻碍也是对称的，于是在晶片上方的气流也具有良好的对称性；另外由于连接套管安装在静电卡盘的下端部位置，气流受阻碍的位置在静电卡盘侧壁与反应室侧壁形成的环形区域内，而在静电卡盘上表面边缘位置处几乎不受到阻碍气流的影响，所以在晶片上方的气流也几乎不会受到影响，这就使得在晶片上方的气流分布非常均匀，这样对等离子体形成均匀场有很好的促成作用，使化学反应速度、刻蚀速率具有较好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 气流 分布 均匀 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
1.气流分布均匀的刻蚀装置，包括反应室(6)和下电极支撑装置，其特征在于所述下电极支撑装置由偶数个对称布置的连接套管(7)组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510130652.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：邮资系统中的欺诈检测
- 下一篇：控制站
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
