[发明专利]一种适于器件化的磁性隧道结及其用途有效
| 申请号： | 200510130665.5 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1988199A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 魏红祥;马明;覃启航;韩秀峰;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01F10/00;H01F10/32;G11C11/16;G11C11/15;G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一复合膜层，其上下两层为0.2～2nm厚度的金属层或是绝缘体势垒层，中间层为0.5～5nm厚度的氧化铝膜层。该磁性隧道结能够广泛应用于以磁性隧道结为核心的各种器件。本发明提供的适于器件化的磁性隧道结，可以克服现有技术的缺陷，提高磁性隧道结的性能，使其在保持高的磁电阻比值和低的电阻与结面积的积矢的情况下，还具有重复性和稳定性好，信噪比高，寿命长等优点，能够满足大规模产品化的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 器件 磁性 隧道 及其 用途 | ||
【主权项】：
1、一种适于器件化的磁性隧道结，包括一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积的钉扎层、被钉扎软磁层、绝缘层、自由软磁层及覆盖层，其特征在于：所述的绝缘层为一复合膜层，其上下两层为0.2～2nm厚度的金属层或是绝缘体势垒层，中间层为0.5～5nm厚度的氧化铝膜层。
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