[发明专利]Si基膜纳米孔道及其制备方法无效
| 申请号： | 200510130743.1 | 申请日： | 2005-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1807224A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 王宇钢;张伟明;薛建明 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;C01B33/02;C01B33/113;C25F3/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 陈美章 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种Si基膜纳米孔道及其制备方法。所述的Si基膜包括：Si基；Si基上的膜和膜上的纳米孔道，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道可以是单个或多个的，也可以是特定阵列的纳米孔道；纳米孔道的形状可以是类圆柱形或类圆锥形，也可以是中间大两头小的钟漏形。所述的方法是：利用荷能粒子，特别是荷能重离子，在Si基膜中辐照产生粒子潜径迹，然后湿法腐蚀Si基膜中的粒子潜径迹，腐蚀过程中通过一个偏压和一种阻止溶液来终止腐蚀，从而在Si基膜中形成纳米孔道。 | ||
| 搜索关键词： | si 纳米 孔道 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Si基膜纳米孔道，其特征在于，包括：Si基；Si基上的膜；和膜上的纳米孔道，其形状是类圆柱形或类圆锥形，或者是两头大中间小的钟漏形，其最小孔径为一至几十纳米；其中，所述的纳米孔道是单个或多个的特定阵列或非阵列的纳米孔道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510130743.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
