[发明专利]封装方法无效
| 申请号： | 200510131450.5 | 申请日： | 2005-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1983537A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李建成 | 申请（专利权）人： | 络达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种封装方法，包含：提供导电基板，具有上表面与下表面；自上述上表面形成封装基板的第一层线路并完成有源器件的封装；以及自上述下表面形成封装基板的第二层以后的线路及连接垫。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装方法，包含：提供导电基板，具有上表面与下表面；形成有源器件基座雏型与第一层线路图形于该导电基板的上表面，其中该第一层线路图形与该有源器件基座雏型以间隔方式设置于其周围；将有源器件电连接于该第一层线路图形；形成封装材料于该上表面，包覆该有源器件与该第一层线路图形；由该下表面移除连接该有源器件基座雏型与该第一层线路图形之间的部分该导电基板，并使该有源器件基座雏型下的该导电基板成为该有源器件基座雏型的一部分，且使部分留下来的该导电基板成为电连接于该第一层线路图形的导通装置与连接垫雏形；形成第一介电层于该有源器件基座雏型、该导通装置、与该连接垫雏形之间；分别增厚该有源器件基座雏型与该连接垫雏形，并形成与该导通装置电连接的第二层线路图形于该第一介电层上；形成第二介电层于该有源器件基座雏型、该第二层线路图形、与该连接垫雏形之间；以及增厚该有源器件基座雏型与该连接垫雏形，分别成为有源器件基座与连接垫。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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