[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510131514.1 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1783530A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 保原大介;近藤真一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括导体或半导体的细粒、以及与细粒相结合从而形成导电通路的有机半导体分子，导电通路的电导率通过电场来控制。在该半导体器件中，与相邻细粒相结合的保护膜分子彼此结合，形成使细粒彼此连接的有机半导体分子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：导体或半导体的细粒；以及与细粒相结合从而形成导电通路的有机半导体分子，导电通路的电导率通过电场来控制；其中结合到相邻细粒的保护膜分子彼此结合，形成有机半导体分子，该有机半导体分子使细粒彼此连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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