[发明专利]一种形成低电容半导体器件的方法及其结构有效
| 申请号： | 200510131544.2 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1808708A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 普拉萨德·文卡塔曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/085 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，形成一个带有栅极结构的晶体管，其栅极结构上具有一个开口。一个绝缘体至少在该开口的侧壁上形成，并且在该绝缘体上形成一个导体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 电容 半导体器件 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种形成半导体器件的方法，包括：提供具有第一表面的第一导电型衬底；在衬底的第一表面的至少第一部分上形成第一导电型的第一源极区域和第二源极区域，其中第二源极区域和第一源极区域分开；形成覆盖衬底的第一表面的棚极结构，该栅级结构的第一末端覆盖第一源极区域的边缘，该栅极结构的第二末端覆盖第二源极区域的边缘，其中该栅极结构的第一表面和该衬底的第一表面大致平行，并且背对该衬底的第一表面；在栅极结构中形成一个开口，位于第一源极区域和第二源极区域之间的衬底的第二部分的上方；至少在所述开口的侧壁上形成绝缘体；在所述绝缘体上和所述开口内形成导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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