[发明专利]碳纳米管、电子发射源、电子发射装置和其制造方法无效
| 申请号： | 200510131579.6 | 申请日： | 2005-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1815665A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 南仲祐;柳美爱 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J29/04;C01B31/00;C01B31/02;B82B1/00;B82B3/00;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;王景朝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种X射线衍射的半峰全宽是0.6或更低的碳纳米管、包括该碳纳米管的电子发射源和包括该电子发射源的电子发射装置。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电子 发射 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳纳米管，具有小于或等于0.6的X射线衍射的半峰全宽。
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