[发明专利]采用熔断电路的半导体器件及选择熔断电路系统的方法无效

专利信息
申请号: 200510131606.X 申请日: 2005-12-15
公开(公告)号: CN1822222A 公开(公告)日: 2006-08-23
发明(设计)人: 北山诚;川真田阳介 申请(专利权)人: 尔必达存储器股份有限公司
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G11C7/00;G11C29/00;H01L27/105
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种能够减小其中使用的程序熔断器数目的半导体器件以及一种熔断电路选择方法。该半导体器件包括至少一个第一熔断电路,所述第一熔断电路包括:存储电路组,其基于多个程序熔断器的切断模式来存储想要的地址;命中检测单元,其检测所述存储电路组中存储的地址与选中地址之间的匹配;以及使用确定单元,其响应于所述多个程序熔断器中至少一个切断的事实,激活所述命中检测单元。如上所述,第一熔断电路基于程序熔断器本身是否切断,来确定第一熔断电路是处于使用状态还是未使用状态。因此,使能熔断器变为不必要。
搜索关键词: 采用 熔断 电路 半导体器件 选择 系统 方法
【主权项】:
1、一种半导体器件,包括至少一个第一熔断电路,所述第一熔断电路包括:存储电路组,其包括多个程序熔断器,并且基于所述多个程序熔断器的切断模式来存储想要的地址;命中检测单元,其检测所述存储电路组中存储的地址与选中地址之间的匹配;以及使用确定单元,其响应于所述多个程序熔断器中至少一个切断的事实,激活所述命中检测单元。
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