[发明专利]接触窗的形成方法有效

专利信息
申请号: 200510131618.2 申请日: 2005-12-15
公开(公告)号: CN1983551A 公开(公告)日: 2007-06-20
发明(设计)人: 杨建伦;陈能国;蔡腾群;黄建中;许绍达 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种接触窗的形成方法,首先提供衬底,衬底上已形成至少二个导体元件,且二个导体元件之间有间隙。然后,在衬底上形成第一介电层以覆盖导体元件与间隙,其中所形成的第一介电层中具有隙缝,且隙缝是形成于间隙内。接着,移除间隙内的部分第一介电层以形成一开口,以扩大隙缝的宽度。随后,在第一介电层上形成第二介电层,且填满开口。之后,移除间隙内的部分第二介电层与部分第一介电层,直至暴露出部分衬底表面,以于相对应开口的位置形成一个接触窗开口。然后,于接触窗开口中填入导体层。
搜索关键词: 接触 形成 方法
【主权项】:
1.一种接触窗的形成方法,包括:提供一衬底,该衬底上已形成有至少二导体元件,且该二导体元件之间具有一间隙;于该衬底上方形成一第一介电层,覆盖该二导体元件,且填入该间隙中,其中形成于该间隙内的该第一介电层中具有一隙缝;移除该间隙内的部分该第一介电层以形成一开口,以扩大该隙缝的宽度;于该第一介电层上形成一第二介电层,且填满该开口;移除该间隙内的部分该第二介电层与部分该第一介电层,直至暴露出部分该衬底表面,以于相对应该开口的位置形成一接触窗开口;以及于该接触窗开口中填入一导体层。
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