[发明专利]具有改善的隧道氧化物的双栅存储单元无效
| 申请号： | 200510131632.2 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1812131A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | K·－D·乌费尔特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种双栅存储单元，它包含：具有包含沟道区和源极/漏极区的有源区的硅衬底，其中该有源区构成至少包含沟道区的脊状翼；至少部分地在有源区的脊状翼的表面上形成的隧道氧化层；用于存储电荷的至少部分地在隧道氧化物的表面上形成的浮动栅；由介电材料构成的、至少部分地在浮动栅的表面上形成的栅间绝缘层；和至少部分地在栅间层的表面上形成的控制栅，其中隧道氧化层由非晶二氧化硅/二氧化钛混合氧化物构成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 隧道 氧化物 存储 单元 | ||
【主权项】：
1、一种双栅存储单元，其包含：-具有有源区的硅衬底(1)，所述有源区具有沟道区(11)和源极区/漏极区(3；4)，其中所述有源区形成至少包含所述沟道区的脊状翼(2)；-隧道氧化层(7)，该隧道氧化层至少部分地形成在所述有源区的脊状翼的表面上；-用于存储电荷的浮动栅(5)，该浮动栅至少部分地形成在所述隧道氧化层的表面上；-由介电材料构成的栅间绝缘层(10)，该栅间绝缘层至少部分地形成在所述浮动栅的表面上；以及-控制栅(8)，该控制栅至少部分地形成在栅间层的表面上；其特征在于，所述隧道氧化层由非晶二氧化硅/二氧化钛混合氧化物构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510131632.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光盘装置
- 下一篇：光盘存储装置中激光功率的温度补偿方法
- 同类专利
- 专利分类
